三星 | 计划在今年6月前全面开发出第六代、11 nm 1c DRAM闪存

；也：科技新报

4 月 15 日消息，据 BusinessKorea 的引述，Samsung仍未设定了目标，即在本年 6 月早先进行 11 薄膜的第六代 1c DRAM 芯片的技术开发。相传该日本公司仍未要求其研究人员停止或跳过 1b DRAM 的技术开发，这是一种 12 薄膜芯片。

年末有消息指为，Samsung仍未中断了 12-13nm 手工分级寄存器研制出，表示Samsung 13nm 分级的寄存器被间接承认不甘心。

引述指为，Samsung愿意扩大与大公司的技术技术开发差别，这些大公司包括 SK 海力士和美光科技。此外，这并不是Samsung第一次中止 DRAM 的某些技术开发阶段而向更高层次发展。年末，Samsung中止了 28 薄膜 DRAM 的大规模生产厂，专注于生产厂 25 薄膜 DRAM。

业内课题专家认为，对Samsung来说，生产厂 11 薄膜 DRAM 并不是一件易于的事，因为这需要先进的技术技术开发。然而，据 BusinessKorea 引述，Samsung愿意找到一种新方法，该日本公司在 1c DRAM 进行之早先随之而来着相当大的技术开发压力，因为其在 1a DRAM 的量产全面性落后于其两个大公司。

据了解，寄存器手工在 20nm 节点之后就有有所不同断代新方法，之早先用的是 1x、1y、1z，后来又有了 1a、1b、1c 手工，不过Samsung、SK 海力士及美光三大寄存器亿万富翁的具体手工也不完全是这样，有时公布的还是二进制 + nm 取名为。

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