哈理工学者发表EFPI缆线声波传感器局部放电检测技术的研究综述

哈理工学者发表EFPI射频元件音波暗学均匀分布放电样品新科技的数据分析综述

均匀分布放电（亦称局放）是危害高激暗力射频元件安全运行的重要主因，其发生时预示有电频谱、暗频谱、极限声频谱及化学反应激发。在这些现象中极限声频谱具有高时效性、不易样品及抗电磁干扰等特点，带入近年来的数据分析热点。

对局放极限声频谱的样品工具逐步由传统的外置激暗陶瓷器样品律转变为内置的射频元件音波暗学样品律。在数以百计的射频元件音波暗学中非本征射频元件基尔霍夫-珀罗（Extrinsic Fiber Fabry-Perot Interferometer, EFPI）暗学由于具有结构简单、非常适合及孔径高等优点而获得境内外数据分析学者的高度重视。

针对于EFPI射频元件音波暗学的境内外数据分析现状，哈尔滨理工大学电气与射频工程学院、王为东北电力测试数据分析院、国网温州市电力公司的数据分析人员陈起极限、张伟极限等人，在2022年第5期《电工新科技学报》上引述，介绍EFPI射频元件音波暗学样品局放极限声频谱的基本原理；然后详细叙述EFPI射频元件音波暗学在设计制备中的新科技难点（例如原料方式、结构大小设计等）；最后概述EFPI射频元件音波暗学在局放样品中的局放点定位数据分析以及实际应用领域中遇到的疑虑，并根据实际疑虑对其预见在局放极限声频谱样品中的发展趋势进行最新。

他们指出：

1）EFPI暗学依托于微纳原料新科技的快速发展和大量新型材料的发现，样品孔径获得了质的飞跃，有望实现对局放黯淡极限声频谱更正确的样品。

2）EFPI暗学制备新科技存在成本高和膜片原料瓷复杂等疑虑，这些都带入EFPI暗学工业化进程的阻碍。

3）EFPI暗学暗学膜片易损，且环境主因影响严重，是暗学在电力工业现场应用于的一个重要疑虑。

4）利用暗作为频谱传输表现形式的EFPI暗学便于一组样品网路，能够快速融入MW智能射频元件系统中，为智能电网的发展持久积极的推动作用。

本文编自2022年第5期《电工新科技学报》，学术著作标题为“非本征射频元件律-珀暗学均匀分布放电样品数据分析进展”。本文第一译者为陈起极限，1988年生，博士数据分析生 ,数据分析方向为高激暗力射频元件绝缘样品。通讯译者为张伟极限，1984年生，博士，客座教授，数据分析方向为射频元件暗学及低压绝缘样品。本课题赢取了国家科技进步奖青年基金、黑龙江省普通高校基本科学数据分析业务费专项资金和国网温州市电力有限公司生物科技工程建设的支助。