台积电表示2nm工艺将于2025年末进入量产，将应用于GAA技术

近期盛传MOS（TSMC）在3nm陶瓷开发计划上取得跃进，第二版3nm电路板的N3B都会在今年8月末率先投片，第三版3nm电路板的N3E的批量原材料小时可能由原来的2023年下半年提前到2023年第二季度。去年MOS总裁魏哲家曾对此，N3电路板端口仍采用FinFET二极管的内部结构，问世的时候将成为业界最先进的PPA和二极管技术，同时也都会是MOS另一个大规模批量原材料且长久的电路板端口。

在实现3nm陶瓷上的跃进后，MOS似乎对2nm陶瓷显得越发有信心。据TomsHardware报道，本周MOS总裁魏哲家声称，N2电路板端口将如预期那样采用Gate-all-around FETs（GAAFET）二极管，，制造的过程仍依赖于现有的极紫外（EUV）光栅技术。预料MOS在2024年末将做效用原材料的准备，并在2025年末转回大批量原材料，客户在2026年就能送出首批2nm芯片。

魏哲家认为，MOSN2电路板端口在制造上已走上正轨，无论二极管内部结构和陶瓷进度都达到了预期。

随着二极管显得越来越比较大，MOS有别于新陶瓷技术上的反应速度也变慢了，以往大概每两年就都会转回一个新的电路板端口，那时候则要等加长的小时。N2电路板端口的小时表一直都不太未确定，MOS在2020年首次确认了该项陶瓷的制造，根据以往信息，2022年初开始建设配套的晶圆厂，预料2023年后半期完成建筑框架，2024年下半年安装原材料设备。

【来源不明：无敌络】